ثبت اختراع بین المللی دانشمندان دانشگاه علم و صنعت
دانشمندان ایرانی موفق به ارایه رویکرد نوینی در توسعه ساختارهای منظم و کریستالین گرافنی در مواد کربنی متخلخل شدند.
به گزارش گروه جامعه ،علی بیت اللهی استاد دانشگاه علم و صنعت ایران و شیخ الاسلام دانشجوی دکترا این دانشگاه پس از حدود 10 سال تحقیق و پژوهش موفق به ارایه روش جدیدی در توسعه ساختار های منظم و کریستالین گرافنی در مواد کربنی آمورف در عرصه بین المللی شدند.
در این اختراع بین المللی که نتایج آن در سازمان ثبت اختراعات امریکا USPTO به ثبت رسیده است؛ روشی نوین جهت توسعه ساختار گرافن در کربن پسماند رزین های فنولیک ارائه شده است که با توسعه این روش و توسعه ساختارهای گرافنی در پیش ماده های کربنی غیر گرافیتیزه شونده نظیر رزین فنولیک، ساکاروز و ... می توان بسیاری از محدودیت های این مواد در کاربردهای مرتبط با انرژی و ذخیره سازی را مرتفع نمود و موجب شد تا محققین بتوانند به محدودیت های موجود در استفاده از این مواد مثلا در کاربردهایی نظیر باتری و ذخیره ساز انرژی غلبه کنند.
این موفقیت بین المللی، حاصل 10 سال تحقیق و مطالعه در حوزه نانومواد متخلخل و به دنبال یک پایان نامه دکتری در دانشگاه علم و صنعت ایران هستند.
لازم به ذکر است گرچه نتایج این طرح بر روی سیستم های نانومتخلخل کربنی پیاده سازی شده است، با این حال رویکرد آن دریچه نوین علمی را برای تمامی مواد کربنی و پیش ماده های رایج مورد استفاده ارایه می نماید. تولید پیش ماده های کربنی قابل گرافیتیزه شدن نظیر تولید رزین فنولیک گرافیتیزه شونده نقش بسیار مهمی را در حوزه های مختلف کاربردی از جمله باطری ایفا می کند. موضوع دستیابی به بودر های مزو متخلخل با سطح ویزه با لا و هدایت الکتریکی بالا از موضوعات بسیار مهمی است که بسیاری از محققین دنیا به دنبال ان هستند.
گفتنی است، این طرح در قالب یک پروژه دکتری با نظارت علی بیت اللهی (استاد دانشگاه علم و صنعت ایران) و همکاری شیخ الاسلام(دانشجوی دکترا) این دانشگاه صورت بذیرفته است و نتایج آن در زمستان سال 1394 با حمایت کامل مالی ستاد نانو در سازمان ثبت اختراعات آمریکا USPTO به ثبت رسید و سپس در تابستان 1395 بخشی از نتایج در مجله مشهورCARBON به چاپ رسید.
معاونت پژوهشی دانشگاه علم و صنعت ایران کسب این توفیق علمی را به بیت اللهی، شیخ الاسلام و دانشگاهیان علم و صنعت ایران تبریک گفته و توفیقات روز افزون علمی و پژوهشی را برای ایشان آرزو دارد.
ارسال دیدگاه
دیدگاهتان را بنویسید
نشانی ایمیل شما منتشر نخواهد شد. بخشهای موردنیاز علامتگذاری شدهاند *